近日，由中科潞安牽頭實施的國家科技部“十四五”重點研發項目“大功率深紫外AlGaN基LED發光材料與器件產業化關鍵技術（典型應用示范）”成功獲得立項。本項目總預算達4450萬元，由中科潞安總經理閆建昌擔任項目負責人，參與單位還包括北京中博芯半導體科技有限公司、泉州三安半導體科技有限公司、華中科技大學、中國科學院半導體研究所、西安電子科技大學、材料科學姑蘇實驗室、中國科學院寧波材料技術與工程研究所、北京工業大學和中北大學等9家科研院所、企業。
　　本項目研究內容整體分為四個子課題：一是面向大功率深紫外LED需求，研究2-4英寸藍寶石襯底上深紫外AlGaN基LED高量子效率發光有源區結構外延技術；二是研究低電壓、高出光效率、大功率深紫外AlGaN基LED芯片制備關鍵技術；三是研究深紫外LED高光提取效率、高氣密性、低熱阻封裝技術；四是研究深紫外AlGaN基LED的外延結構、器件和封裝工藝等對器件失效和光衰的影響機制，發展器件標準化評價方法。
　　本項目的成功立項，是中科潞安共建國家第三代半導體技術創新中心（山西）以來獲批的首個國家級研發項目，是科技部對山西省第三代半導體產業鏈整體研發實力的充分肯定，標志著中科潞安的科技創新水平提升到了一個新的高度。本項目將進一步強化中科潞安在中國深紫外技術變革和創新研發中的主體地位，推動本行業上下游企業的科技聯動和深度融合，有助于全行業面向國家重大需求，集中優勢資源聚焦行業關鍵共性技術，形成跨行業、跨區域的研發布局和協同創新體系。
　　2022年以來，中科潞安科研立項成果頗豐，新增立項4項，其中牽頭1項科技部十四五重點研發計劃和1項山西省重點研發計劃，參與1項科技部十四五重點研發計劃和1項海南省重點研發計劃。全年新增創新平臺3個，獲批建設國家第三代半導體技術創新中心山西區域分中心、山西省深紫外LED技術創新中心和山西省產業技術創新戰略聯盟和，實現了國家級、省級和市級創新平臺全覆蓋的建設目標。